DMN1014UFDF-13

DMN1014UFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺，在极低的栅极电荷和输入电容特性下，实现了出色的开关性能与导通损耗控制。

该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在Vgs=4.5V， Id=2A时典型值仅为16毫欧，这一关键参数确保了在负载电流路径上的功率损耗被降至最低。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，结合最大±8V的栅源电压范围，提供了良好的噪声容限和驱动兼容性。同时，极低的栅极电荷（Qg）最大值6.4nC @ 4.5V与输入电容（Ciss），显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得器件在高频开关应用中尤为高效，有助于提升整体系统的能效。

在电气参数方面，DMN1014UFDF-13具备12V的漏源击穿电压（Vdss）和高达8A的连续漏极电流（Id）能力，其功率耗散最大值为700mW。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在严苛环境下的可靠运行。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求，便于集成到高密度PCB设计中。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对空间和效率有苛刻要求的场景。其主要应用方向包括便携式设备的负载开关、电源管理模块中的DC-DC同步整流、电机驱动控制电路以及电池保护电路等。在智能手机、平板电脑、无人机、便携式游戏机等消费电子产品的功率分配系统中，它能有效管理功率流，提升电池续航时间，是工程师实现高性能、小型化设计的理想选择。

• 型号:DMN1014UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:515 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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