DMN1017UCP3-7

作为Diodes Incorporated旗下的一款高性能N沟道功率MOSFET，DMN1017UCP3-7采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于紧凑的X3-DSN1010-3封装，这是一种专为高密度表面贴装应用而优化的超薄型封装，能够在有限的PCB空间内提供卓越的散热性能和电气连接可靠性，尤其适合现代便携式与空间受限的电子设备。

在电气性能方面，该MOSFET展现出显著的低导通损耗特性。其最大导通电阻（Rds(On)）在3.3V Vgs驱动、5A电流条件下仅为17毫欧，这一低阻值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在3.3V下仅为16nC，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大1V），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动功率需求，非常适合由低电压逻辑电路（如1.8V或3.3V微控制器）直接驱动，从而简化了外围驱动电路的设计。

该器件具备12V的漏源电压（Vdss）额定值和7.5A的连续漏极电流（Id）能力，为其在低压、大电流切换场景中提供了坚实的保障。其输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡。此外，宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行，而最大1.47W的功率耗散能力则与其封装的热特性相匹配。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

综合其特性，DMN1017UCP3-7主要面向需要高效率、小尺寸解决方案的应用领域。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的DC-DC同步整流或功率路径管理、电机驱动控制（如小型风扇、玩具马达），以及各类电池供电设备中的功率分配与保护电路。其表面贴装形式和高性能参数组合，使其成为工程师在追求系统小型化与能效最大化时的优选功率开关元件。

• 型号:DMN1017UCP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，3.3V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 5A，3.3V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 3.3 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1503 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.47W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X3-DSN1010-3
• 封装/外壳:3-XDFN
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