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产品参考图片
DMN1019USN-13 图片
DMN1019USN-13
  • 制造厂商:Diodes(美台半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SC-59
  • 技术参数:MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:DMN1019USN-13
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):9.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,2.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 9.7A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):50.6nC @ 8V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2426pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):680mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:SC-59
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