DMN10H099SFG-13

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下的一款高性能功率MOSFET，DMN10H099SFG-13采用了先进的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管技术。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，这对于提升功率转换效率和降低开关损耗至关重要。该器件采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，这一紧凑的封装形式不仅有助于节省PCB空间，其优异的热性能也为高功率密度应用提供了可靠保障。

在电气特性方面，该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够稳健地工作在中等电压与电流的功率处理场景。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、3.3A电流条件下典型值仅为80毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并与25.2nC的低栅极电荷（Qg）相结合，意味着它能够被标准逻辑电平轻松驱动，并实现快速的开关切换，这对于高频开关电源设计尤为重要。

器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性与便利性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极过压能力。输入电容（Ciss）在50V条件下最大为1172pF，结合低栅极电荷，共同优化了驱动电路的负担。该MOSFET的结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其性能参数，DMN10H099SFG-13非常适用于需要高效率和小尺寸的各类电源管理应用。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、以及各类消费电子和工业设备中的功率分配模块。其平衡的电压/电流能力、出色的开关性能以及良好的热特性，使其成为工程师在设计和优化现代高效能电子系统时的一个可靠选择。

• 型号:DMN10H099SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:980mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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