DMN10H170SFDE-7

Diodes Incorporated推出的DMN10H170SFDE-7是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。其结构优化了载流子迁移路径，有效降低了导通状态下的能量损耗，同时确保了在高压工作条件下的稳定性和耐用性。

该芯片具备多项突出的电气特性。其100V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对中高电压应用环境，而在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达2.9A，提供了可观的电流处理能力。一个关键优势在于其极低的导通电阻，在10V栅源电压（Vgs）和5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。其栅极驱动设计友好，阈值电压Vgs(th)最大值为3V，且在10V Vgs下的总栅极电荷（Qg）最大值仅为9.7nC，这意味着驱动电路所需能量小，有利于实现高速开关并降低驱动IC的负担。

在接口与参数方面，DMN10H170SFDE-7采用表面贴装技术，封装为紧凑的U-DFN2020-6（E类），非常适合高密度PCB布局。其栅源电压耐受范围宽达±20V，增强了抗干扰能力。器件支持高达660mW的功率耗散，并且结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其平衡的性能参数，该器件广泛应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备、网络通信设备的电源管理单元。其快速开关特性和低导通电阻使其成为提升系统能效、减小方案尺寸的理想选择。

• 型号:DMN10H170SFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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