ZXM61N02FTA

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道功率MOSFET，ZXM61N02FTA采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过优化的芯片设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。其内部结构专注于降低导通损耗和开关损耗，这对于提升终端设备的整体能效至关重要。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压和930mA漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为180毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），最大值分别为3.4nC @ 4.5V和160pF @ 15V，确保了快速的开关切换速度，减少了开关过程中的能量损失，并降低了对驱动电路的要求，使得它能够轻松地被微控制器或逻辑电平信号所驱动。

在接口与关键参数方面，ZXM61N02FTA具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和1.7A的连续漏极电流能力，为其提供了稳健的工作范围。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为700mV，而推荐的驱动电压范围在2.7V至4.5V之间，这使其非常适用于3.3V或5V逻辑电平系统的直接驱动，无需额外的电平转换电路。器件采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，占板面积小，便于在空间受限的PCB布局中进行高密度安装。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具有625mW的功率耗散能力，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原厂正品和设计资源。

凭借其综合性能，ZXM61N02FTA非常适合多种低电压、高频率的开关应用场景。它常被用于便携式电子设备的电源管理模块中，如负载开关、DC-DC转换器的同步整流或低侧开关。在电机驱动、电池保护电路、LED驱动以及各种消费类电子产品的功率分配系统中，它都能提供高效、可靠的功率切换解决方案。其小尺寸和优异的电气特性使其成为空间和能效都至关重要的现代电子设计的理想选择。

• 型号:ZXM61N02FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 930mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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