DMN10H170SFG-13

Diodes Incorporated推出的DMN10H170SFG-13是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件采用优化的单元设计，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡，其漏源电压（Vdss）额定值为100V，为中等电压应用提供了坚固的电气屏障。其沟道技术确保了快速的载流子迁移，是实现低导通损耗和快速开关响应的基础。

在功能表现上，该MOSFET的突出优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压（Vgs）和3.3A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为122毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14.9nC @ 10V，结合870.7pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，开关速度快，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或通用驱动IC直接控制。

该器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性与便利性。它提供两种关键的电流额定值：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为2.9A，而在管壳温度（Tc）下则可高达8.5A，这为不同散热条件下的电流能力评估提供了明确依据。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了抗栅极电压瞬态冲击的能力。器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8封装，不仅节省了PCB空间，其封装结构也有利于散热，最大功率耗散为940mW（Ta）。其宽泛的工作结温（TJ）范围从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障产品正宗与供货稳定的重要途径。

基于其100V的耐压、优异的开关性能与功率处理能力，DMN10H170SFG-13非常适合应用于多种需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护板以及各类电源管理模块。它在空间受限的便携式设备、工业自动化控制板和车载电子系统中都能发挥关键作用，是实现高功率密度和高效率设计的理想选择。

• 型号:DMN10H170SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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