DMN10H170SFG-7

Diodes Incorporated推出的DMN10H170SFG-7是一款采用先进MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管，其设计旨在为中等功率应用提供高效率与高可靠性。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，有助于优化PCB空间布局并提升散热性能。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下实现了出色的电气特性平衡。

该MOSFET在导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间取得了优异的折衷，这是评估开关性能的关键指标。在10V驱动电压（Vgs）和3.3A漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为122毫欧，确保了在导通状态下的低功耗损耗。同时，其最大栅极电荷值控制在14.9nC（@10V），这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而提升整体系统的开关频率和效率。低导通电阻与低栅极电荷的结合，使其特别适用于高频开关应用。

在电气参数方面，DMN10H170SFG-7提供了灵活的驱动选项，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，而推荐的驱动电压范围在4.5V至10V之间，以确保完全导通并最小化Rds(on)。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了抗干扰能力。器件的电流处理能力根据散热条件不同而有所区别，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为2.9A，而在管壳温度（Tc）下则可高达8.5A，这突显了其封装的热管理潜力。最大功率耗散为940mW（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取此型号产品。

综合其技术特性，这款MOSFET非常适合需要高效功率转换和控制的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。在同步整流、负载开关和低侧开关拓扑中，其快速的开关速度和良好的热性能能够显著提升系统能效和功率密度，是工程师设计紧凑型、高性能电子设备的理想选择。

• 型号:DMN10H170SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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