DMN10H170SFGQ-7

DMN10H170SFGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列，确保了其在严苛的汽车电子环境下的高可靠性和稳定性。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，这对于提升功率转换效率和降低开关损耗至关重要。

该MOSFET的显著特性包括100V的漏源击穿电压(Vdss)，这为其在多种中压应用场景中提供了充足的电压裕量。其导通电阻表现优异，在10V驱动电压(Vgs)和3.3A漏极电流(Id)条件下，最大导通电阻(Rds(on))仅为122毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在14.9nC（@10V），结合870.7pF的输入电容，有助于实现快速的开关瞬态响应，减少开关过程中的功率损失，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMN10H170SFGQ-7的连续漏极电流在环境温度(Ta)25°C下为2.9A，而在管壳温度(Tc)条件下可达8.5A，展现了其强大的电流处理能力。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，而推荐的驱动电压范围在4.5V至10V之间，确保了器件能够被标准的逻辑电平或微控制器GPIO口有效驱动并完全开启。器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8封装，该封装具有优异的热性能，最大功耗为940mW (Ta)，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适合高密度PCB布局和自动化生产。

基于其稳健的性能参数，DMN10H170SFGQ-7非常适合应用于需要高效功率管理和开关控制的领域。典型的应用场景包括汽车电子系统中的负载开关、电机驱动控制、LED照明驱动、DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）中的主开关或同步整流管，以及各类电源管理模块。其汽车级认证使其成为发动机控制单元(ECU)、车身控制模块(BCM)及电池管理系统(BMS)等关键汽车子系统中功率开关元件的可靠选择。

• 型号:DMN10H170SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMN10H170SFGQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。