DMN24H11DSQ-7

DMN24H11DSQ-7是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-23表面贴装器件中。该器件设计用于在严苛的汽车电子环境中提供可靠的开关性能，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在高压下实现高效的电能控制与转换。

该MOSFET具备240V的漏源击穿电压和270mA的连续漏极电流能力，使其能够稳健地处理中等功率负载。其栅极驱动特性经过精心设计，在10V栅源电压下，导通电阻典型值低至11欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，最大栅极电荷仅为3.7nC，结合76.8pF的输入电容，意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计，减少开关损耗。

在电气参数方面，该器件展现了宽泛的工作适应性。其栅极阈值电压最大值为3V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。驱动电压范围覆盖4.5V至10V，兼容常见的逻辑电平与模拟驱动。其热性能同样出色，最大功耗为750mW，结温工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在极端温度条件下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES一级代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其高压能力、低导通电阻、快速开关特性以及符合汽车级标准的可靠性，DMN24H11DSQ-7非常适用于需要小型化、高可靠性的开关应用。典型应用场景包括汽车领域的车身控制模块、LED照明驱动、传感器电源管理，以及工业控制中的低功率继电器替代、电源转换电路和电池保护系统。其SOT-23封装非常适合空间受限的PCB设计，为工程师在高密度布局中提供了高性能的解决方案。

• 型号:DMN24H11DSQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:76.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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