DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部结构优化了电荷分布，有效降低了栅极电荷和寄生电容，从而提升了在高频开关应用中的整体效率。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压，确保了在中等电压应用中的高可靠性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流额定值为2.6A，能够处理可观的负载电流。其导通电阻特性尤为突出，在10V栅源驱动电压和5A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更优的能效表现。栅极驱动特性方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为3V，标准逻辑电平即可有效驱动；同时，栅极电荷Qg最大值仅为9.7nC，结合最大±20V的栅源电压耐受能力，使其开关过程迅速且易于控制，有助于简化驱动电路设计。

在封装与接口层面，DIODES代理提供的这款器件采用紧凑的TSOT-26表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设备。其最大输入电容Ciss为1167pF，功率耗散能力为1.2W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。这些参数共同定义了其作为一款高效、可靠的功率开关元件的性能边界。

基于其综合性能，DMN10H170SVT-13非常适用于需要高效率功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及各类电源管理模块。其优异的开关速度和低导通损耗特性，使其在便携式设备、消费电子、工业控制及汽车辅助系统等领域的开关电源设计中成为理想的选择。

• 型号:DMN10H170SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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