DMN10H220L-7

DMN10H220L-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，其核心架构基于成熟的平面硅工艺，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件采用N通道设计，其栅极结构经过优化，旨在提供高效的开关控制与功率处理能力，其金属氧化物半导体场效应晶体管技术确保了在广泛工作条件下的稳定性和可靠性。

在电气特性方面，该器件具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够耐受较高的电压应力，适用于存在电压尖峰或感性负载的应用环境。其导通电阻表现突出，在10V栅源驱动电压(Vgs)和1.6A漏极电流(Id)条件下，最大导通电阻(Rds(on))仅为220毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其既能与标准逻辑电平（如3.3V或5V）良好兼容，又能在更高驱动电压下获得更优的导通性能。

该MOSFET的动态参数同样经过精心设计。最大栅极电荷(Qg)为8.3nC，结合401pF的输入电容(Ciss)，意味着其开关过程所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。器件的连续漏极电流(Id)额定值为1.4A，最大功率耗散为1.3W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在苛刻热环境下的鲁棒性。其表面贴装型SOT-23封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备高密度组装的需求。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过DIODES一级代理进行采购是保障正品货源和稳定供货的有效途径。

综合其参数特性，DMN10H220L-7非常适合于需要高效率、小尺寸和中等功率处理能力的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥低侧开关、电池管理系统中的保护与切换电路，以及各类消费电子、工业控制和汽车电子子系统中的功率控制部分。其平衡的电压、电流和开关特性，使其成为工程师在100V以下电压平台构建紧凑、高效功率解决方案时的可靠选择。

• 型号:DMN10H220L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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