DMT64M2LPSW-13

Diodes Incorporated推出的DMT64M2LPSW-13是一款采用先进PowerDI 5x6封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与卓越的开关性能的平衡。其紧凑的封装不仅优化了PCB空间占用，更通过增强的热性能设计，有效提升了功率处理能力，使其成为高密度、高效率电源设计的理想选择。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气参数。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，能够满足多种中压应用场景的需求。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.4毫欧（@50A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为46.7nC（@10V），较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，尤其适用于高频开关应用。其宽泛的栅源电压（Vgs）范围（±20V）提供了稳健的驱动兼容性。

在接口与可靠性方面，DMT64M2LPSW-13采用表面贴装型封装，便于自动化生产。其热性能参数突出，在壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）可达100A，最大功率耗散为83.3W，这得益于封装优异的散热能力。而在环境温度（Ta）下，其额定电流为20.7A，功率耗散为2.8W，为设计提供了清晰的降额指导。器件的工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取该产品及相关技术支持。

综合其技术规格，该器件非常适合应用于需要高效率和高功率密度的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及各类工业电源和计算设备的电源管理模块。其优异的Rds(on)与Qg组合，使其在提升系统整体能效和功率密度方面表现出色。

• 型号:DMT64M2LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.7A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2799 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），83.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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