DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装于紧凑的SOT-23-3表面贴装器件中。该器件专为在有限空间内实现高效功率开关而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在多种中压应用中的可靠性与安全性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为1.6A，能够处理适中的负载电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和1.6A漏极电流条件下，最大值仅为220毫欧，这一低导通电阻特性对于减少功率损耗至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，且标准驱动电压范围为4.5V至10V，使其与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器具有良好的兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，DMN10H220LQ-7表现出色。在10V Vgs条件下，其最大栅极总电荷（Qg）仅为8.3nC，而25V Vds下的最大输入电容（Ciss）为401pF。这些低电荷和电容参数共同促成了快速的开关速度，有助于降低高频开关应用中的开关损耗。器件的栅源电压可承受±16V的最大值，提供了足够的驱动安全裕量。其最大功耗为1.3W（Ta），结温工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

得益于其高耐压、低导通电阻、快速开关能力以及SOT-23-3封装带来的小尺寸优势，该器件非常适合空间受限的现代电子设备。其典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块、LED照明驱动以及各类便携式设备中的电源管理单元。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少热量产生，并帮助实现更紧凑、更可靠的终端产品设计。

• 型号:DMN10H220LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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