DMN10H700S-7

DMN10H700S-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高电压下的高效开关与信号放大。其结构优化了沟道导通电阻与栅极电荷之间的平衡，确保了在宽泛的工作温度范围内（-55°C至150°C结温）保持稳定的电气性能，这得益于其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，为严苛环境应用提供了可靠性保障。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压高达100V，使其能够从容应对工业控制、汽车电子中常见的电压应力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至700毫欧（在1.5A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为4.6nC，结合235pF的输入电容，意味着极快的开关速度和极低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅源电压耐受范围达±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在接口与关键参数方面，器件采用标准的SOT-23表面贴装封装，占板面积小，便于高密度PCB布局。其连续漏极电流在25°C环境温度下额定为700mA，最大功耗为400mW。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了在逻辑电平驱动下的明确关断特性。用户可以通过正规的DIODES授权代理获取完整的数据手册，以获取包括安全工作区、开关时间曲线在内的详尽参数信息，进行精确的电路设计与热仿真。

基于其高耐压、低导通电阻、快速开关以及汽车级的可靠性，DMN10H700S-7非常适合一系列要求严苛的应用场景。其主要应用领域包括汽车系统中的负载开关、电机预驱动、LED照明驱动，以及工业自动化中的电源管理、DC-DC转换器中的同步整流或负载切换。在消费电子领域，也可用于电池保护电路或便携设备中的功率路径管理，是工程师在空间受限且需要高可靠性的中压功率处理应用中的理想选择。

• 型号:DMN10H700S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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