DMN1260UFA-7B

Diodes Incorporated推出的DMN1260UFA-7B是一款采用先进MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的X2-DFN0806-3封装，专为空间受限的现代电子设备设计，其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体工艺，实现了在极低栅极驱动电压下的高效开关与功率控制。其栅极阈值电压典型值较低，确保了在1.5V至4.5V的逻辑电平下即可被有效驱动，这使其能够无缝对接微控制器或低电压数字信号处理器，简化了系统电源设计。

在电气性能方面，DMN1260UFA-7B展现了出色的导通特性。在4.5V栅源电压和200mA漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为366毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷极低，最大值仅为0.96nC，结合60pF的输入电容，共同决定了其快速的开关速度，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。该器件在25°C环境温度下可连续通过500mA的漏极电流，并支持高达12V的漏源电压，为低压电路提供了可靠的保护裕度。

该MOSFET的接口与控制参数设计兼顾了性能与鲁棒性。其栅源电压最大可承受±8V，增强了抗电压尖峰干扰的能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过DIODES一级代理进行采购，可以获得稳定的货源与原厂技术支持。其表面贴装封装形式也完全适配自动化贴片生产线，有利于大规模、高效率的制造。

基于其低电压驱动、低导通电阻、快速开关以及微型化封装的综合特点，DMN1260UFA-7B非常适合于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流以及各类低功耗模块的功率路径管理。它能够有效延长电池供电设备的工作时间，并帮助实现更紧凑、更高效的终端产品设计。

• 型号:DMN1260UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:366 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.96 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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