DMP1022UWS-13

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的高性能功率器件，DMP1022UWS-13是一款采用先进MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体工艺，在紧凑的V-DFN3020-8封装内实现了优异的电气性能与热管理能力。该器件采用表面贴装设计，便于自动化生产，其紧凑的尺寸使其成为空间受限的现代电子设备的理想选择。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的低导通电阻特性，在4.5V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为18毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其漏源电压额定值为12V，能够承受高达7.2A的连续漏极电流，确保了在负载开关、电源路径管理等应用中的稳定性和可靠性。其栅极驱动设计友好，阈值电压最大值为1V，且支持1.8V至4.5V的逻辑电平驱动，使其能够轻松与低电压微控制器和数字信号处理器接口，简化了系统设计。

该MOSFET的动态性能同样出色，在5V栅源电压下的栅极电荷仅为30nC，这有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的效率。其输入电容在4V漏源电压下最大值为2847pF，结合较低的栅极电荷，共同优化了开关速度。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为900mW，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和本地化技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围的组合优势，DMP1022UWS-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关、电池保护电路、电源管理单元中的功率分配，以及低压DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其稳健的性能使其成为消费电子、移动通信和计算设备中实现高效功率控制的可靠解决方案。

• 型号:DMP1022UWS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3020-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2847 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3020-8
• 封装/外壳:8-VDFN
• 现在可以订购DMP1022UWS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。