DMN13H750S-13

DMN13H750S-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-23表面贴装器件中。其核心设计旨在实现高耐压与低导通电阻的平衡，内部结构优化了单元密度和沟道迁移率，使得在130V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够有效控制导通损耗。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，确保了开关行为的稳定性和可靠性，为中小功率开关应用提供了一个高效的电能控制解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和2A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为750毫欧，这一低阻抗特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为5.6nC @ 10V，结合231pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，开关速度快，有利于在高频开关电路中减少开关损耗并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，DMN13H750S-13在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为1A，最大功耗为770mW。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性，通常5V或更高的驱动电压即可使其充分导通。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的工业环境要求。对于稳定可靠的供货渠道，工程师可以考虑通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，以确保产品原装正品和供应链支持。

凭借其130V的耐压能力、优异的开关性能以及SOT-23封装带来的空间节省优势，这款MOSFET非常适合应用于各类离线式或直流输入的中低功率电源管理场景。典型应用包括AC-DC适配器中的次级侧同步整流、DC-DC转换器中的功率开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及LED照明驱动。其紧凑的尺寸和良好的热性能也使其成为空间受限的便携式电子设备中功率路径管理的理想选择。

• 型号:DMN13H750S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:130 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:231 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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