DMN15H310SK3-13

作为一款面向严苛应用环境的功率开关器件，DMN15H310SK3-13采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构基于N沟道设计，确保了高效的电子流控制能力。该器件在硅片层面进行了深度优化，实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，这对于提升开关效率和降低动态损耗至关重要。其内部结构经过精心设计，以应对高电压和高电流下的稳定工作需求，同时最大限度地减少了寄生参数的影响。

在电气性能方面，该MOSFET展现出显著的优势。其漏源电压（Vdss）额定值为150V，为各类离线式电源转换和电机驱动应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达8.3A，具备较强的电流处理能力。更值得关注的是其低导通电阻特性，在10V栅源驱动电压、1.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为310毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。

器件的动态特性同样经过优化。在10V Vgs条件下，栅极总电荷（Qg）最大值仅为8.7nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。同时，其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大值为405pF，有助于简化栅极驱动设计并抑制开关振铃。该器件采用坚固的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至155°C，并符合AEC-Q101汽车级标准，确保了其在高温、高振动等恶劣环境下的长期可靠性。对于需要高品质元器件的项目，可以通过DIODES中国代理获取详细的技术支持和供应链服务。

综合其参数表现，DMN15H310SK3-13非常适合用于要求高效率和高可靠性的功率管理场景。典型应用包括汽车电子系统中的DC-DC转换器、电机控制单元（如风扇、泵、车窗升降器驱动）、工业电源的初级侧或次级侧同步整流，以及各类开关电源（SMPS）中的主开关或负载开关。其汽车级认证使其成为新能源汽车、车身控制及车载信息娱乐系统等前沿领域功率路径管理的理想选择。

• 型号:DMN15H310SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:32W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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