DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的8引脚SOP表面贴装封装内。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部结构通过精细的沟道与终端设计，有效降低了寄生电容，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至8毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极阈值电压最大值为1.2V，并兼容2.5V至10V的逻辑电平驱动，使其能够轻松被微控制器或低压逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路设计。58.3nC的低栅极电荷与2555pF的输入电容共同确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在电气参数方面，DMN2009LSS-13具备20V的漏源击穿电压和12A的连续漏极电流承载能力，其最大栅源电压为±12V，提供了可靠的栅极保护裕量。器件采用表面贴装形式，功率耗散能力为2W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。其主要应用方向包括DC-DC同步整流转换器中的低压侧开关、电机驱动控制电路、负载开关以及电池保护电路。在便携式设备、分布式电源模块和服务器电源等产品中，它能有效提升功率密度和能源利用率。

• 型号:DMN2009LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2555 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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