DMTH6004SCT

DMTH6004SCT是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-220-3通孔封装中。该器件基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡，其核心架构通过精细的沟道和终端设计，有效降低了单位面积的比导通电阻（Rds(on)*Area），从而在给定的芯片尺寸下获得了卓越的电流处理能力。

该MOSFET的关键特性在于其高达100A的连续漏极电流（在壳温Tc条件下）和60V的漏源击穿电压，这使其能够胜任中高功率的开关与线性调节应用。其导通电阻在10V栅极驱动电压、100A漏极电流条件下，最大值仅为3.65毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在95.4nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在电气参数方面，DMTH6004SCT的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力，而其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了宽裕的驱动安全余量。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，并具备强大的功率耗散能力，在壳温（Tc）条件下最大可达136W，这使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其高电流、低导通电阻和稳健的封装特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动（如电动工具、无人机电调）、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类电源逆变器和负载开关。其TO-220封装形式便于安装散热器，进一步提升了其在连续大电流工作下的可靠性。

• 型号:DMTH6004SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.65 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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