DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为表面贴装应用设计，在-55°C至150°C的结温范围内保持稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

其核心架构优化了功率密度与开关性能的平衡。器件具有20V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C环境温度下可支持高达14.2A的连续漏极电流。一个关键优势在于其极低的导通电阻，在Vgs为4.5V、Id为7A的条件下，Rds(on)最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动特性同样出色，栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1V @ 250A，且驱动电压范围宽，在1.5V至4.5V的Vgs下即可实现优异的导通性能，使其非常适用于由低电压逻辑电路直接驱动的场景。

在动态参数方面，DMN2011UFDF-13展现了良好的开关特性。在Vgs为10V时，其最大栅极电荷（Qg）为56nC，结合最大输入电容（Ciss）为2248pF @ 10V，这些参数共同决定了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升高频开关电源等应用的性能。器件最大栅源电压为±12V，提供了足够的驱动安全裕量。其最大功耗为2.1W（Ta），紧凑的封装与高效的散热设计使其能在有限空间内处理可观的功率。对于需要可靠供应链的客户，可以通过DIODES授权代理获取正品器件和技术支持。

综合其电气参数，这款MOSFET非常适合需要高效率、高电流密度和快速切换的应用。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品的电源管理模块。其优异的Rds(on)和开关特性使其成为提升终端产品能效和功率密度的理想选择。

• 型号:DMN2011UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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