DMP4025LK3-13

DMP4025LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用成熟的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了功率密度与散热效率的平衡，其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗，适用于对效率和空间均有要求的现代电源架构。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为40V，能够为低压总线应用提供充足的电压裕量，确保系统可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V、Id=3A的条件下典型值仅为25毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效，尤其是在持续导通或大电流负载的应用中。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流微控制器和逻辑电平驱动电路轻松兼容，简化了驱动级设计。

在动态性能方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMP4025LK3-13在Vgs=10V时的栅极总电荷（Qg）最大值为33.7nC，输入电容（Ciss）在Vds=20V时最大为1643pF。这些参数共同决定了其开关速度与驱动损耗，较低的Qg值意味着在高速开关应用中所需的驱动功率更小，有助于减少开关损耗并提升频率响应。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的能力。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，结合TO-252封装良好的热性能，使其能够在严苛的环境下稳定工作，最大功耗（Ta）为1.7W。

凭借40V的耐压、6.7A的连续漏极电流能力以及优异的开关特性，DMP4025LK3-13非常适合用于DC-DC转换器中的负载开关、电源路径管理、电机驱动中的反向电流保护以及电池供电设备的功率分配等场景。其P沟道特性常被用于高边开关配置，无需额外的电荷泵或自举电路，从而简化了系统设计并降低了成本，是消费电子、工业控制及通信设备中实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:DMP4025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1643 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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