DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-TSSOP表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。通过优化的单元结构和工艺控制，它在有限的芯片面积内实现了优异的电流处理能力与热性能平衡，为空间受限的高密度设计提供了可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为11毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少发热。同时，其较低的栅极电荷（Qg最大值56nC @ 10V）与输入电容（Ciss最大值2248pF @ 10V）有效降低了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，使其非常适用于高频开关应用。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1V，并兼容1.5V至4.5V的逻辑电平驱动，增强了与现代低压微控制器或数字信号处理器的直接接口便利性。

在电气参数方面，DMN2011UTS-13具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和高达21A（Tc）的连续漏极电流能力，确保了在常见低压总线应用中的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，提供了足够的驱动安全裕量。器件结温工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，结合1.3W（Ta）的功率耗散能力，使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供应链和全面技术支持的项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供货可靠的重要途径。

凭借其高性能与小尺寸的结合，该器件非常适合部署在需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及各类便携式设备、计算主板和服务器中的电源管理模块。其表面贴装形式也完全适配自动化生产工艺，有利于大规模制造。

• 型号:DMN2011UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173\\
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