DMN2015UFDE-7

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道功率MOSFET，DMN2015UFDE-7采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（E类）封装，这一表面贴装型封装不仅提供了优异的散热性能，还显著节省了PCB板空间，使其成为高密度设计的理想选择。

在电气性能方面，该器件展现出卓越的效率。其最大导通电阻（Rds(On)）在Vgs为4.5V、Id为8.5A的条件下低至11.6毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极驱动要求宽松，最小驱动电压仅为1.5V，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1.1V，这使其能够轻松兼容低电压逻辑电路，简化了驱动设计。最大栅极电荷（Qg）为45.6nC，结合1779pF的输入电容（Ciss），共同确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗，提升高频应用下的性能。

该MOSFET的额定参数为其应用提供了坚实的基础。其漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达10.5A，最大功率耗散为660mW。其栅源电压（Vgs）最大可承受±12V，提供了安全的驱动裕量。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取产品与技术支援。

基于其综合性能，DMN2015UFDE-7非常适合应用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，特别是在空间受限的便携式设备、计算主板、网络设备及各类消费电子产品中。其快速开关能力和低导通电阻的组合，使其在电池供电系统中能有效延长续航时间，是提升终端产品能效与功率密度的关键元器件。

• 型号:DMN2015UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.6 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1779 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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