DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI3333-8封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件采用共漏极配置，将两个独立的增强型MOSFET集成于单一紧凑的封装内，其漏源电压(Vdss)额定值为20V，为低压开关应用提供了可靠的电压裕量。这种集成化设计不仅显著节省了PCB空间，还通过优化内部互连降低了寄生电感，有利于提升高频开关性能。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的导通性能与开关效率。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)可达10.7A，而导通电阻(RDS(on))在4.5V栅源电压(Vgs)和4A漏极电流条件下，典型值仅为10.8毫欧。极低的导通电阻直接转化为更低的传导损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，确保了与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动IC的兼容性，便于直接驱动。低栅极电荷(Qg，最大值20.3nC @ 4.5V)与适中的输入电容(Ciss，最大值1870pF @ 10V)相结合，使得开关过渡过程迅速，减少了开关损耗，特别适用于高频PWM控制场景。

在接口与热管理方面，器件采用表面贴装型8-PowerVDFN封装，具有良好的散热能力，最大功耗为1.2W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的重要途径。这些电气与物理参数共同定义了一个高效、紧凑的功率开关解决方案。

基于其性能特点，DMN2022UNS-13非常适合应用于空间受限且对效率要求高的现代电子设备中。典型应用场景包括服务器、笔记本电脑中的负载开关与电源路径管理，DC-DC同步整流和转换电路中的低侧开关，以及电机驱动、电池保护模块中的功率控制部分。其双通道共漏极架构尤其适合需要两个开关管协同工作的半桥或OR-ing（冗余电源）电路，为设计工程师提供了高度集成化的选择。

• 型号:DMN2022UNS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
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