DMN2024UFDF-13

作为一款采用先进U-DFN2020-6（F类）封装的高性能N沟道MOSFET，DMN2024UFDF-13展现了Diodes Incorporated在功率半导体领域的设计实力。其核心架构基于成熟的MOSFET（金属氧化物）技术，通过优化的芯片设计与封装工艺，在紧凑的占板面积内实现了优异的电气性能与热管理能力。该器件能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET的功能特点突出体现在其低导通电阻与高效率的开关性能上。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为22毫欧（测试条件为4A），这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至0.9nC（@10V），结合647pF（@10V）的输入电容，意味着器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其驱动电压范围宽泛，最小阈值电压（Vgs(th)）仅为1V，而最大栅源电压（Vgs）可达±10V，提供了良好的栅极驱动兼容性与鲁棒性。

在接口与关键参数方面，DMN2024UFDF-13具备20V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C环境温度下可支持高达7.1A的连续漏极电流，最大功耗为960mW。这些参数使其成为低压、大电流应用的理想选择。其表面贴装型封装不仅节省了PCB空间，也便于自动化生产。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品与技术支援。

综合其性能参数，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。例如，在智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块中，可用于负载开关、DC-DC转换器的同步整流或功率路径管理。此外，在低压电机驱动、电池保护电路、以及各类消费电子和工业控制模块的功率开关部分，其低导通电阻和高电流能力都能显著提升系统性能与能效。

• 型号:DMN2024UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:960mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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