DMN2025UFDF-13

DMN2025UFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件设计用于在低电压、高电流切换应用中提供卓越的性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在提升能效的同时，有效降低了开关损耗。其紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装不仅实现了高功率密度，还通过优良的热性能确保了器件在宽温度范围内的稳定运行。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V及以下电源系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达6.5A，展现出强大的电流处理能力。一个关键优势在于其极低的导通电阻，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流(Id)为4A的条件下，Rds(On)最大值仅为25毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且支持低至1.8V的驱动电压，使其能够完美兼容现代低压微控制器和逻辑电路，简化了驱动设计。

在动态性能方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，在Vgs=10V时，栅极总电荷(Qg)最大值仅为12.3nC，同时输入电容(Ciss)在相同条件下最大值为486pF。这些低电荷参数共同作用，实现了快速的开关速度，减少了开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。器件的最大允许栅源电压(Vgs)为±10V，提供了足够的驱动安全裕度。其结温(TJ)工作范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性，最大功耗为700mW。

凭借其优异的性能组合，DMN2025UFDF-13非常适合用于空间受限、对效率要求高的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理模块。其表面贴装封装符合现代自动化生产要求，是工程师设计紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMN2025UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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