DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在提供极低的导通电阻与栅极电荷，这使得它在需要高效率功率转换和快速开关的应用中表现出色。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下可支持高达7.9A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通损耗，在驱动电压Vgs为4.5V、漏极电流Id为4A的条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为25毫欧。同时，其栅极驱动要求宽松，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，标准逻辑电平即可有效驱动，而最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了足够的驱动裕量。其栅极总电荷（Qg）最大值仅为18nC（@8V），结合907pF（@10V）的输入电容，共同决定了极低的开关损耗和出色的高频开关能力，这对于提升系统整体效率至关重要。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装技术，其U-DFN封装具有良好的散热特性，在环境温度（Ta）下最大功耗为660mW。其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能与小型化特点，DMN2028UFDF-7非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。它广泛应用于负载开关、电源管理模块、DC-DC同步整流、电机驱动控制以及电池保护电路等领域。特别是在便携式设备、计算主板、消费类电子产品的电源子系统中，它能够有效降低功率损耗，提升能量利用率，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMN2028UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:907 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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