DMN2028UVT-13

DMN2028UVT-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装于紧凑的TSOT-26封装内。该器件基于硅基半导体工艺，其核心架构旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与优异的开关性能平衡。在4.5V的栅源驱动电压下，其最大导通电阻仅为24毫欧，这一特性使其在导通状态下能够有效降低功率损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和6.2A的连续漏极电流（Id）能力，确保了其在低压、大电流应用中的可靠性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，结合最大±8V的栅源电压范围，使其能够与多种逻辑电平（包括3.3V和5V系统）良好兼容，简化了驱动电路设计。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值8.3nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss，最大值856pF @ 10V）显著减少了开关过程中的充放电时间与能量损失，有利于实现高频开关操作，降低开关损耗并提升瞬态响应速度。

在电气参数方面，该器件在-55°C至150°C的宽结温（TJ）范围内保持稳定工作，最大功耗为1.2W（Ta），适合要求严苛的环境。其表面贴装型（SMT）的TSOT-26封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了散热性能。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品货源与技术支援。

凭借其高性能与小型化封装，DMN2028UVT-13非常适用于空间受限且对效率要求高的现代电子设备。其典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流与负载开关、电池管理系统的充放电控制、电机驱动中的H桥电路，以及便携式设备、USB电源分配和低压大电流的电源管理模块。在这些应用中，它能够有效提升功率密度与能源利用率。

• 型号:DMN2028UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:856 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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