DMT3022UEV-13

DMT3022UEV-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI333封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个性能一致的MOSFET单元，其核心架构基于优化的沟槽工艺技术，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。每个MOSFET单元的漏源击穿电压（BVDSS）额定为30V，确保了在常见低压直流总线应用中的可靠性与安全性。

该器件的显著特性在于其卓越的功率密度与效率表现。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）可达17A，而导通电阻（RDS(on)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和11A漏极电流下典型值仅为22毫欧。这种低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13.9nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值为903pF @ 15V，这些低栅极电荷和输入电容的特性有效降低了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，使其非常适合高频开关应用。

在电气接口与参数方面，DMT3022UEV-13的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V @ 250A，提供了良好的噪声容限，并兼容标准逻辑电平驱动。其最大功耗在环境温度（Ta）下为900mW，而结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。器件采用紧凑的8-PowerVDFN表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的封装结构也提供了优异的热性能，有助于功率耗散。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET阵列是众多低压、高密度功率管理解决方案的理想选择。典型应用场景包括服务器和通信设备的负载点（POL）转换器、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类便携式电子设备中的电源开关。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此型号的完整技术资料、样品及采购支持。

• 型号:DMT3022UEV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXD 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:903pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXD 类）
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