DMN2029USD-13

DMN2029USD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的双N沟道增强型MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供高效率的功率开关性能。其设计充分考虑了现代电子设备对高功率密度和快速开关速度的双重需求，使得该芯片成为空间受限且对效率有严苛要求的应用的理想选择。

该MOSFET阵列的功能特点突出体现在其优异的电气参数上。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)在25°C下可达5.8A，能够胜任多数低压、中电流的开关与驱动任务。尤为关键的是，其在Vgs=4.5V、Id=6.5A条件下的导通电阻(Rds(on))典型值低至25毫欧，这一特性直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V，属于逻辑电平驱动器件，可直接由3.3V或5V的微控制器GPIO口高效驱动，简化了外围电路设计。

在动态特性方面，DIODES一级代理提供的技术资料显示，DMN2029USD-13在Vgs=8V时的总栅极电荷(Qg)最大值仅为18.6nC，输入电容(Ciss)在Vds=10V时最大为1171pF。这些低电荷参数确保了快速的开关转换速度，有助于减少开关损耗，并允许在高频PWM应用中稳定工作。其最大功耗为1.2W，宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了器件在恶劣环境下的可靠性与鲁棒性。

基于上述接口与参数特性，DMN2029USD-13非常适合应用于需要高效率、小尺寸解决方案的领域。典型应用场景包括DC-DC同步整流转换器中的低侧开关、电机驱动H桥电路、负载开关、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理模块。其双通道集成设计尤其有利于需要对称驱动或并联以降低导通电阻的场合，为工程师提供了灵活且高性能的电路构建模块。

• 型号:DMN2029USD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1171pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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