DMN2029UVT-7

DMN2029UVT-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面工艺技术制造，并封装于紧凑的TSOT-26封装内。该器件专为在有限空间内实现高效功率切换而优化，其核心架构通过精心的芯片布局和沟道设计，旨在最大限度地降低导通电阻并提升开关速度，从而减少功率损耗和热生成，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在4.5V栅源电压（Vgs）和6.2A漏极电流（Id）的测试条件下，其典型值仅为24毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使得器件在承载高达6.8A（Ta）的连续漏极电流时，仍能保持出色的温升性能。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V @ 250A，这表明它具备良好的逻辑电平兼容性，能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动，简化了驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装TSOT-26封装，非常适合高密度PCB布局。其宽广的结温（TJ）工作范围从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取完整的技术资料、样品以及批量供货支持。这些电气与物理参数的结合，使其在需要快速开关和高效功率处理的场景中表现出色。

基于其高性能与小型化特点，DMN2029UVT-7非常适合应用于空间受限且对效率要求高的领域。典型应用包括便携式设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动控制电路以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制。在这些场景中，其低导通电阻有助于延长电池续航，而快速的开关特性则能提升电源转换频率和动态响应，是设计紧凑型、高效率电源与功率管理解决方案的理想选择。

• 型号:DMN2029UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 现在可以订购DMN2029UVT-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。