ZVN4306AV

ZVN4306AV是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用经典的平面硅栅工艺。其核心架构基于成熟的垂直DMOS结构，在单一硅片上集成了高密度单元，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用TO-92-3通孔封装，这是一种在消费电子和工业控制领域广泛使用、具有高性价比和良好散热能力的经典封装形式，便于在各类PCB板上进行手工或自动焊接安装。

该MOSFET的突出特性在于其60V的漏源击穿电压（Vdss）和1.1A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够稳健地工作在多种中低压电源环境中。其栅极驱动特性尤为友好，在10V的Vgs电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值可低至330毫欧（@3A），这意味着在导通状态下，器件的功率损耗极低，有助于提升整体系统的能效。同时，其阈值电压Vgs(th)最大值为3V，与标准的5V或3.3V逻辑电平兼容性良好，可直接由微控制器或逻辑电路驱动，简化了外围设计。其输入电容（Ciss）最大值为350pF，结合适中的栅极电荷，确保了开关过程具有较快的响应速度，适用于需要一定频率开关的应用。

在电气参数方面，ZVN4306AV展现了全面的可靠性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。器件在环境温度（Ta）下的最大功耗为850mW，结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

基于其性能参数，该器件非常适合用于各类低侧开关、负载开关及功率管理电路。典型应用场景包括直流电机驱动、继电器或螺线管驱动、LED灯条调光控制、低压DC-DC转换器中的同步整流或开关元件，以及电池供电设备中的电源路径管理。其坚固耐用的特性也使其成为家用电器、智能家居模块、电动工具及汽车电子（如车身控制模块）等成本敏感型应用中，实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:ZVN4306AV
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:850mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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