DMN2040U-13

DMN2040U-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于高密度单元设计，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一指标直接关系到开关效率与损耗。该器件采用标准的N沟道MOSFET结构，栅极由二氧化硅绝缘层保护，确保了稳定的阈值电压和可靠的栅极控制能力，其设计重点在于优化功率密度，使其在小尺寸下能处理相对较高的电流。

该器件在功能上表现出色，其最大连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达6A，而漏源击穿电压(Vdss)为20V，适用于常见的低压电源轨。其导通电阻(Rds(on))在Vgs=4.5V、Id=8.2A的条件下典型值仅为25毫欧，这一低导通阻抗特性有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V，且驱动电压范围宽（最大Rds(on)对应2.5V，最小对应4.5V），使其既能与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片良好兼容，也能在更高栅极电压下获得更优的导通性能。

在接口与关键参数方面，DMN2040U-13的栅极电荷(Qg)在Vgs=4.5V时最大仅为7.5nC，输入电容(Ciss)在Vds=10V时最大为667pF，这些低电荷参数意味着开关过程中所需的驱动能量小，能够实现快速的开关切换，减少开关损耗并允许更高的开关频率工作。其栅源电压(Vgs)最大可承受±12V，提供了足够的驱动安全裕量。器件采用表面贴装型SOT-23封装，功率耗散能力为800mW (Ta)，工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理渠道获取此型号，以保证产品质量与供货稳定性。

凭借其紧凑的封装、优异的导通与开关特性，DMN2040U-13非常适合应用于空间受限且对效率有要求的低压、大电流开关场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥下管、电池供电设备中的电源管理模块（如负载开关或电池保护电路），以及各类便携式设备、计算机外围设备和消费电子产品中的功率切换与控制功能。

• 型号:DMN2040U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T\\u0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:667 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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