DMP32D5SFB-7B

Diodes Incorporated推出的DMP32D5SFB-7B是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。其核心架构基于优化的沟槽工艺，在微型化的X1-DFN1006-3封装内实现了优异的电气性能与热管理能力。该器件设计用于在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在苛刻环境下的可靠性。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)与400mA的连续漏极电流(Id)能力，为低电压、小电流的功率开关应用提供了坚实的基础。其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅源驱动电压(Vgs)和200mA漏极电流条件下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为2.4欧姆。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.3V，并与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动兼容，使其能够被微控制器或逻辑电路轻松、高效地驱动，有效简化了系统设计。

在动态特性方面，DMP32D5SFB-7B表现出色。其最大栅极电荷(Qg)低至4nC @ 10V，输入电容(Ciss)最大值仅为100pF @ 15V，这共同带来了极低的开关损耗和快速的开关速度，特别适合高频开关应用。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其表面贴装型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了热性能，最大允许功耗为500mW。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号及完整的技术支持。

凭借其紧凑的尺寸、高效的性能和高可靠性，这款MOSFET非常适合集成到空间受限且对效率要求高的现代电子设备中。其典型应用场景包括便携式设备的负载开关、电源管理单元(PMU)中的功率路径控制、电池供电系统的反向极性保护，以及作为信号链或低功率模块的开关元件。它在需要高密度布线的设计中尤其具有价值，是工程师实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMP32D5SFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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