DMN2044UCB4-7

Diodes Incorporated推出的DMN2044UCB4-7是一款采用先进U-WLB1010-4封装技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。其紧凑的封装尺寸与优化的内部结构相结合，为空间受限的现代电子设计提供了高功率密度的解决方案。

该MOSFET在电气性能上表现出色，其漏源电压（Vdss）额定值为20V，并在25°C环境温度下支持高达3.3A的连续漏极电流。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在4.5V驱动电压和1.5A电流条件下，Rds(On)最大值仅为40毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为900mV，配合1.5V至4.5V的推荐驱动电压范围，使其能够轻松兼容低电压逻辑电路和微控制器GPIO口直接驱动，简化了外围电路设计。

在动态特性方面，DMN2044UCB4-7的栅极电荷（Qg）在8V Vgs条件下最大值仅为47nC，同时输入电容（Ciss）在10V Vds下最大值为1400pF。这些低电荷参数意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于高频开关应用。器件的工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。其最大功率耗散为720mW，采用表面贴装形式，便于自动化生产。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。

凭借其优异的电气特性和微型封装，这款MOSFET非常适合应用于对空间和效率有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的电源管理模块，如负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器的同步整流侧。此外，在低压电机驱动、LED照明驱动以及各类消费电子产品的功率分配单元中，它也能发挥重要作用，是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMN2044UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
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