DMN2050LQ-7

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列成员，DMN2050LQ-7是一款采用先进平面MOSFET工艺技术制造的N沟道增强型功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，在紧凑的SOT-23封装内实现了低导通电阻与高电流处理能力的平衡。该器件采用表面贴装形式，便于自动化生产并节省电路板空间，其内部结构经过精心设计，以最小化寄生参数，从而提升开关性能与整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V及以下低压系统环境。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达5.9A，展现出强大的电流承载能力。尤为关键的是，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流(Id)为5A的条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为29毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，对于提升系统效率至关重要。其阈值电压(Vgs(th))最大值为1.4V，且驱动电压范围宽至±12V，与标准逻辑电平及微控制器GPIO口兼容性良好，便于驱动电路设计。

在动态参数方面，DIODES一级代理提供的详细资料显示，DMN2050LQ-7在Vgs为4.5V时的栅极总电荷(Qg)最大值仅为6.7nC，结合其低至532pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其极快的开关速度，有助于降低开关损耗并适用于高频应用。器件的最大功耗为1.4W，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些优异的接口与参数特性使其成为高效率功率管理的理想选择。

基于其稳健的性能，DMN2050LQ-7广泛应用于需要高效功率切换与控制的场景。在汽车电子领域，它常用于车身控制模块(BCM)中的负载驱动、LED照明驱动以及小型电机控制。在消费电子和工业设备中，它适用于DC-DC转换器的同步整流或负载开关、电池保护电路、便携设备中的电源路径管理。其小型化封装和优异的电气性能，使其在对空间和能效均有高要求的现代电子设计中占据重要地位。

• 型号:DMN2050LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMN2050LQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。