DMN2100UDM-7

Diodes Incorporated推出的DMN2100UDM-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与信号放大功能。其紧凑的SOT-26封装内部集成了优化的硅片结构，确保了在有限的物理空间内实现优异的电气性能与热管理能力，为高密度PCB布局提供了理想的解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下可支持高达3.3A的连续漏极电流，使其能够胜任多种中等功率级别的负载切换任务。其导通电阻（Rds(on)）表现优异，在4.5V栅源驱动电压（Vgs）和6A漏极电流条件下，最大值仅为55毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值低至1V，配合最大±8V的栅源电压耐受范围，使其能够与多种低压逻辑电平（如1.8V, 3.3V, 5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，DMN2100UDM-7的输入电容（Ciss）在10V漏源电压下最大值为555pF，这有助于实现快速的开关切换速度，减少开关过程中的损耗。器件的最大功耗为1W（Ta），其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。其表面贴装型（SMT）的SOT-26封装不仅节省了宝贵的电路板空间，也便于自动化生产，提升制造效率。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链可靠的重要途径。

凭借其平衡的性能参数与小巧的封装，DMN2100UDM-7非常适合应用于对空间和效率有较高要求的场景。典型应用包括便携式设备（如移动电源、蓝牙耳机）中的负载开关与电源路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或低压侧开关、电机驱动电路中的H桥臂控制，以及各类消费电子和工业控制模块中的信号切换与功率放大。其稳健的设计使其成为工程师在20V/3A级别功率处理应用中一个高性价比且可靠的选择。

• 型号:DMN2100UDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:555 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 现在可以订购DMN2100UDM-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。