DMN2104L-7

Diodes Incorporated推出的DMN2104L-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过在硅衬底上形成精细的沟道结构，实现了对电子流的有效控制。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装，在极小的占板面积内集成了高性能的功率开关功能，体现了高密度集成的设计理念。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的低压电源轨。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)可达4.3A，显示出较强的电流处理能力。一个关键优势在于其极低的导通电阻，在Vgs为4.5V、Id为4.2A的条件下，Rds(on)最大值仅为53毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.4V @ 250A，且驱动电压范围宽泛，标准逻辑电平（2.5V至4.5V）即可使其充分导通，便于与微控制器或逻辑电路直接接口，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，该器件在Vds为10V时的输入电容(Ciss)最大值为325pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于需要较高频率操作的场合。其栅源电压(Vgs)可承受±12V的最大值，提供了良好的栅极保护余量。器件的功率耗散能力在环境温度下为1.4W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。表面贴装的SOT-23-3封装符合现代自动化生产要求。

基于其低压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，DMN2104L-7非常适合应用于对空间和效率有严格要求的低压DC-DC转换器、负载开关、电机驱动（如小型风扇、微型泵）、电池保护电路以及便携式设备的电源管理模块中。对于需要可靠供应链的客户，通过正规的DIODES授权代理进行采购是保障元器件质量和供货稳定性的重要途径。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号，但在既有产品的维护或特定库存需求中，它仍是一个经典的高性能选择。

• 型号:DMN2104L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:53 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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