DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。该器件构建于成熟的硅基工艺之上，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。其N沟道架构允许在低侧开关配置中实现高效的电流控制，通过施加于栅极的电压来精确调节源极与漏极之间的导电沟道，从而实现对负载电流的快速导通与关断。

该器件在电气性能上表现出显著优势。其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下可支持高达1.35A的连续漏极电流，适用于多种低压、中电流应用场景。其导通电阻（Rds(On)）特性尤为突出，在4.5V栅源电压（Vgs）和1A漏极电流条件下，最大值仅为170毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其极低的栅极驱动要求是关键特性之一，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，并且能够在1.8V的低驱动电压下实现优化的导通性能，这使其与当今主流的低电压逻辑电路和微控制器能够完美兼容，无需复杂的电平转换电路。

在动态特性方面，DMN2250UFB-7B同样经过优化。其最大栅极电荷（Qg）仅为3.1nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值为94pF（@16V），这些低寄生参数确保了快速的开关速度，减少了开关过渡期间的损耗，特别适合高频开关应用。器件的栅源电压耐受范围为±8V，提供了可靠的驱动安全裕度。其采用紧凑的X1-DFN1006-3表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了热性能，其最大功率耗散为500mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的技术支持和供货服务。

综合其技术参数，DMN2250UFB-7B非常适合于空间受限且对效率有高要求的现代电子设备。其典型应用领域包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的DC-DC转换器同步整流或功率路径控制、电机驱动模块中的H桥低侧开关，以及各类电池供电设备中的功率分配与保护电路。其优异的电气性能和微型化封装，使其成为设计师在实现高功率密度、高能效解决方案时的理想选择。

• 型号:DMN2250UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.35A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:170 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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