DMN2300UFB-7B

Diodes Incorporated推出的DMN2300UFB-7B是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计。该器件采用紧凑的X1-DFN1006-3封装，实现了优异的功率密度与热性能平衡，其20V的漏源击穿电压（Vdss）与1.32A的连续漏极电流（Id）能力，为低压、小电流开关应用提供了可靠的基础。

该MOSFET在低栅极驱动电压下表现出色，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为950mV，确保了与低电压逻辑电平（如1.8V和3.3V）的良好兼容性。其关键性能指标在于极低的导通电阻，在Vgs=4.5V、Id=300mA条件下，Rds(on)最大值仅为175毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，极低的栅极电荷（Qg最大值0.89nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss最大值67.62pF @ 20V）显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小的外围无源元件。

在接口与参数方面，DMN2300UFB-7B的栅极-源极电压（Vgs）最大额定值为±8V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合表面贴装（SMT）封装形式，能够适应严苛的工业环境要求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取该产品，确保原装正品和完整的应用支持。

这款器件非常适合空间受限且对效率有高要求的应用场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的DC-DC转换器同步整流侧、电池保护电路，以及各类低功率电机驱动、LED调光控制等。其优异的电气特性使其成为现代紧凑型电子设备中实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:DMN2300UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.32A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 300mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.89 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:67.62 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:468mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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