DMN2400UFB4-7

Diodes Incorporated推出的DMN2400UFB4-7是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率开关器件。该器件基于优化的半导体工艺与架构设计，在极小的封装内实现了优异的电气性能与热管理能力。其核心设计旨在提供低导通电阻与高开关效率的平衡，通过精密的沟道与栅极结构控制，确保了在低驱动电压下也能实现快速、可靠的开关动作，这对于提升系统整体能效至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）可达750mA，能够满足多种低压、中电流应用场景的功率处理需求。尤为关键的是，其在4.5V栅源电压（Vgs）下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为550毫欧（@600mA），这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为900mV，且支持低至1.8V的驱动电压，使其能够完美兼容现代微控制器（MCU）和低电压逻辑电路，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计。极低的栅极电荷（Qg，最大值0.5nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss，最大值36pF @ 16V）显著降低了开关过程中的驱动损耗，提升了高频开关性能。

在接口与参数方面，DMN2400UFB4-7采用表面贴装型的X2-DFN1006-3超紧凑封装，尺寸仅为1.0mm x 0.6mm，极大地节省了PCB空间，适用于高密度电路板布局。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±12V，提供了良好的抗干扰能力。器件的最大功耗为470mW（Ta），并支持宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其小型化、高效率和高可靠性的特点，DMN2400UFB4-7非常适合于空间受限且对能效要求严苛的便携式电子设备与物联网（IoT）模块。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理、负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器的同步整流或低侧开关。此外，在各类消费电子、工业控制模块的电机驱动、信号切换和功率分配电路中，它也能发挥出色的性能。

• 型号:DMN2400UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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