DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心优势在于在紧凑的封装内实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化平衡。这种设计有效降低了传导损耗和开关损耗，使其在需要高效率的电路中表现出色。其栅极阈值电压设计合理，确保了在低驱动电压下的可靠开启，同时提供了良好的噪声抑制能力。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压，在25°C环境温度下可连续通过高达900mA的漏极电流。其导通电阻在Vgs为4.5V、Id为200mA的条件下典型值仅为600毫欧，这一特性对于减少功率损耗至关重要。同时，其栅极总电荷Qg最大值仅为500nC（@4.5V），输入电容Ciss最大值为37pF（@16V），这意味着器件具有快速的开关速度，能够显著降低高频应用中的开关损耗。其栅源电压耐受范围为±12V，提供了稳定的驱动安全裕度。器件的功率耗散能力为400mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在物理封装上，DMN2400UFD-7采用了超小型的X1-DFN1212-3表面贴装封装，尺寸仅为1.2mm x 1.2mm，非常适合空间受限的便携式和微型化电子设备。这种封装不仅节省了宝贵的PCB面积，还具有良好的热性能，有助于散热。对于需要可靠供应链支持的国内项目，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取原装正品和技术支持。

凭借其优异的电气性能和微型化封装，该器件广泛应用于负载开关、电源管理模块、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及便携设备中的电机驱动等场景。它是设计师在20V电压等级、中低电流应用中，寻求高效率、高功率密度解决方案的理想选择。

• 型号:DMN2400UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:500 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
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