DMN2450UFB4-7B

DMN2450UFB4-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率开关器件。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，在极小的物理封装内实现了优异的电气性能平衡。其核心设计旨在满足现代便携式和空间受限电子设备对高效率、低功耗及高可靠性的严苛要求，通过优化的半导体工艺和结构设计，确保了在宽泛工作条件下的稳定表现。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)与1A的连续漏极电流(Id)能力，为低压应用提供了充足的裕量。其显著特性在于极低的栅极驱动需求，栅极阈值电压(Vgs(th))最大仅为900mV，并且能够在低至1.8V的驱动电压下实现良好的导通特性。在4.5V Vgs条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值极低，最大值也仅为400毫欧@600mA，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为1.3nC，输入电容(Ciss)也保持在很低的水平（最大值56pF @ 16V），这使得开关速度极快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件支持最大±12V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。其采用超紧凑的X2-DFN1006-3表面贴装封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB设计。尽管体积小巧，其最大功率耗散能力达到500mW（Ta），并且结温工作范围宽达-55°C至150°C，展现了强大的环境适应性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其高性能与小尺寸的完美结合，DMN2450UFB4-7B的理想应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式消费电子产品的电源管理模块，如负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器中的同步整流或功率开关。它也广泛应用于物联网终端设备、便携式医疗仪器及各类需要高效、紧凑型功率开关解决方案的领域，是工程师在空间和能效面临挑战时的优选器件。

• 型号:DMN2450UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:56 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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