DMN2450UFB4-7R

DMN2450UFB4-7R是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率开关器件。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其结构优化了载流子迁移路径，使得在紧凑的封装内也能实现优异的电流处理能力和热性能，为高密度PCB设计提供了可靠的基础。

该器件的一个显著特性是其卓越的低栅极驱动电压兼容性。其驱动电压范围低至1.8V（最大RdsOn），这使得它能无缝兼容现代低电压微控制器和逻辑电路，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体BOM成本。在4.5V栅极电压下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为400毫欧（在600mA电流条件下），确保了在导通状态下的功率损耗被降至最低，提升了能源利用效率。

在电气参数方面，DMN2450UFB4-7R具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和1A的连续漏极电流能力，适用于常见的低压电源环境。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为900mV，进一步印证了其低电压驱动的优势。此外，极低的栅极电荷（Qg，最大值1.3nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值56pF @ 16V）共同作用，带来了极快的开关速度和低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES一级代理获取原厂正品和技术支持。

得益于其全面的性能表现，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。它常见于便携式电子设备的电源管理模块、负载开关电路、DC-DC转换器的同步整流或低侧开关，以及电池保护电路等。其表面贴装型的X2-DFN1006-3封装尺寸极小，为智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各类物联网终端设备的高密度电路板设计提供了理想的解决方案，是实现小型化、高效能电子系统的关键元器件之一。

• 型号:DMN2450UFB4-7R
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:56 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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