DMN24H11DS-7

DMN24H11DS-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，其核心设计旨在实现高压环境下的可靠开关与控制。芯片内部集成了优化的单元结构，在确保高击穿电压的同时，有效控制了寄生电容，为高频开关应用中的快速响应奠定了物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达240V，使其能够从容应对工业控制、汽车电子中常见的电压应力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为11欧姆，这有助于在270mA的连续漏极电流下降低导通损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))设计合理，最大值仅为3V，确保了与低电压逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动电路设计。此外，极低的栅极电荷(Qg，最大值3.7nC)和输入电容(Ciss，最大值76.8pF)共同作用，显著减少了开关过程中的充放电时间与能量损失，为实现高速开关和降低驱动功耗提供了关键优势。

在接口与参数方面，该器件采用标准的SOT-23表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，提供了较强的抗电压尖峰能力。器件的功率耗散能力为750mW，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），保证了在严苛环境下的稳定运行。值得注意的是，该产品隶属于Diodes的Automotive, AEC-Q101系列，这意味着它通过了严格的汽车级可靠性认证，满足汽车电子对元器件的高质量与长寿命要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高压、低损耗、快速开关及高可靠性的特点，DMN24H11DS-7非常适合于多种应用场景。在汽车领域，可用于车身控制模块(BCM)、LED照明驱动、传感器电源开关等低压侧开关电路。在工业与消费电子中，它适用于离线式开关电源(SMPS)的启动电路、继电器替代、电池管理系统的保护开关，以及需要高压小电流切换的各类控制接口。其紧凑的封装和优异的性能使其成为空间受限且对效率与可靠性有较高要求的现代电子系统的理想选择。

• 型号:DMN24H11DS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:76.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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