DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，并封装于超紧凑的X2-DFN1006-3（3DFN）封装内。该器件专为在有限空间内实现高效功率开关而优化，其核心架构基于成熟的硅基工艺，确保了在宽温范围内的稳定性和可靠性。其设计重点在于平衡导通电阻、栅极电荷和封装尺寸，以满足现代便携式和空间受限型电子设备对功率密度日益增长的需求。

该MOSFET的显著特性在于其极低的栅极驱动电压要求和优异的导通性能。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，而完全增强驱动电压（Vgs）最低仅需1.8V，这使得它能与众多低电压微控制器（MCU）和数字信号处理器（DSP）直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。在4.5V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在600mA漏极电流时最大仅为400毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为0.74nC，输入电容（Ciss）也保持在较低水平，这共同实现了快速的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，DMN2500UFB4-7的连续漏极电流（Id）在环境温度25°C下额定为810mA，漏源击穿电压（Vdss）为20V，最大栅源电压（Vgs）为±6V。其功率耗散能力为460mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的鲁棒性。其表面贴装型X2-DFN1006-3封装不仅提供了极小的占板面积，还具有良好的散热性能。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，通过DIODES授权代理进行采购是确保产品正宗性和供货稳定的重要途径。

凭借其小尺寸、低电压驱动和高效能特性，该器件非常适合应用于对空间和能效有严格要求的领域。典型应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关和电池保护电路，以及作为低电压DC-DC转换器中的同步整流或主开关管。此外，在物联网（IoT）传感器节点、模块、USB供电设备和各类消费电子产品的子系统中，它都能发挥出色的功率控制作用。

• 型号:DMN2500UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):810mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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