DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，专为优化PCB空间和散热性能而设计。其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制，通过优化的沟道设计和制造工艺，在紧凑的尺寸内实现了优异的电气性能与热性能平衡。

该器件具备75V的漏源击穿电压(Vdss)和7.8A的连续漏极电流(Id)能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流裕量。其导通电阻(Rds(On))在10V栅源驱动电压(Vgs)和7.2A漏极电流条件下，最大值仅为22毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。其栅极驱动特性表现出色，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，而栅极电荷(Qg)在10V Vgs下最大值为56.5nC，这有助于实现快速开关并降低栅极驱动电路的损耗，使其易于被标准逻辑电平或微控制器驱动。

在接口与参数方面，DMN7022LFG-7支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极可靠性。其输入电容(Ciss)在35V Vds下最大值为2737pF，是评估开关速度的重要参数。器件在25°C环境温度下的最大功率耗散为900mW，其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其性能组合，该MOSFET非常适合需要高效功率转换和开关控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类电源管理模块。其表面贴装形式和PowerDI3333-8封装使其能够集成到空间受限的现代电子设备中，例如适配器、工业控制系统、消费类电子产品和汽车辅助电子设备，是实现高功率密度设计的可靠选择。

• 型号:DMN7022LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2737 pF @ 35 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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