DMN2990UFB-7B

Diodes Incorporated推出的DMN2990UFB-7B是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的半导体工艺，在微型化的X1-DFN1006-3封装内实现了高效的电流控制与开关性能。该器件专为在低电压、小电流场景下提供卓越的能效和可靠性而设计，其紧凑的3D扁平无引线（3DFN）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了热传导路径，有助于在高环境温度下维持稳定运行。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）在环境温度下可达780mA，适用于多种低压电源管理和负载开关应用。其关键优势在于极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压和100mA漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为990毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，且支持低至1.8V的驱动电压，使其能够与当今主流的低电压微控制器和逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。

在动态性能方面，DMN2990UFB-7B表现出色。其栅极电荷（Qg）在4.5V下最大值仅为0.41nC，输入电容（Ciss）在15V下最大值为31pF，这些极低的寄生参数确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频开关应用。器件的栅源电压（Vgs）可承受±8V，提供了良好的抗噪能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并符合AEC-Q101汽车级标准，意味着它经过了严格的可靠性测试，能够满足汽车电子及其他高可靠性领域对元器件在恶劣环境下长期稳定工作的严苛要求。对于需要确保供应链稳定和产品可靠性的客户，通过正规的DIODES授权代理进行采购是获得原厂正品和支持的保障。

综合其电气参数与封装特性，该器件非常适合空间受限且对效率有高要求的应用场景。其主要应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器的同步整流侧。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、照明驱动、传感器接口等低压子系统。此外，在工业控制、物联网终端设备以及各类消费电子产品中，它也是实现高效功率分配和管理的理想选择。

• 型号:DMN2990UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):780mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.41 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:520mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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